kondrik228
Эксперт
- Регистрация
- 6 Авг 2017
- Сообщения
- 1,040
- Лучшие ответы
- 0
- Репутация
- 92
На 89-м году жизни скончался выдающийся российский физик, лауреат Нобелевской премии, депутат и общественный деятель академик Жорес Иванович Алферов. Его работы в области полупроводниковых гетероструктур совершили революцию в микроэлектронике, лазерной технике, дали миру интернет, квантовые устройства.
[h=3]Полупроводники, лазеры, нанотехнологии[/h]
Путь Жореса Алферова к вершинам мировой науки типичен для советского времени. Он родился в семье технической интеллигенции на окраине СССР, в Витебске, рано проявил способности к точным наукам, окончил школу с золотой медалью и без экзаменов поступил на факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова.
Жорес Алферов работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе, где с 1930-х годов занимались полупроводниковыми гетероструктурами — искусственными материалами из нескольких слоев разного состава, между которыми происходит обмен электронами и "дырками". Наши ученые впервые показали, что на двойной гетероструктуре арсенида галлия можно создавать лазеры совершенно нового поколения, зарегистрировали патент.
В те годы мало кто верил, что можно вырастить идеальные гетероструктуры без дефектов поверхностей, пригодные для лазеров. Физикам долго не удавалось получить материал нужного качества.
Метод газовой эпитаксии, которым выращивали гетероструктуры, — очень трудоемкий. Соединение нужно сначала испарить до газообразного состояния, затем на подложку осаждать слой за слоем, буквально поатомно. Параметры подбираются экспериментально. Отработка технологии занимает много времени.
Прорыв произошел в конце 1960-х, когда ученые усовершенствовали способ выращивания гетероструктур, а в США изобрели молекулярно-пучковую эпитаксию. С этого времени направление стало развиваться стремительно во всем мире, сложилась высокая конкуренция, тем не менее пальма первенства была у советских физиков под началом Жореса Алферова.
В 2000 году Жоресу Алферову и немецкому ученому Герберту Кремеру, который независимо вел работы в области лазеров на полупроводниковых гетероструктурах, была присуждена Нобелевская премия по физике.
Благодаря их работам появились более совершенные полупроводниковые материалы, на их основе — большое разнообразие лазеров, работающих при самых разных условиях, светодиодов, биполярных транзисторов, фотоэлементы для солнечных батарей.
Без полупроводниковых гетероструктур, пионером в создании которых стал Жорес Алферов, немыслима современная жизнь. На них работают системы памяти в компьютерах, спутниковое телевидение, орбитальные аппараты, интернет, бытовая техника.